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IRFP21N60LPBF
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 21 A, 0.32 ohm, TO-247AC, Through Hole
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRFP21N60LPBF
주문 코드8658420
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.32ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation330W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
IRFP21N60LPBF의 대체 제품
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제품 개요
The IRFP21N60LPBF is a 600V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for zero voltage switching SMPS, uninterruptible power supply, telecom, server power supplies and motor control applications.
- Superfast body diode eliminates the need for external diodes in ZVS Applications
- Lower gate charge results in simple drive requirements
- Enhanced dV/dt capabilities offer improved ruggedness
- Higher gate voltage threshold offers improved noise immunity
애플리케이션
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Motor Drive & Control
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
330W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2014)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.32ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2014)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.006