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IRLZ14PBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,351 |
| 10+ | ₩777 |
| 100+ | ₩683 |
| 500+ | ₩670 |
| 1000+ | ₩598 |
| 5000+ | ₩587 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRLZ14PBF
주문 코드8651370
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.2ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation43W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
제품 개요
The IRLZ14PBF is a 60V N-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance.
- Dynamic dV/dt rating
- 175°C Operating temperature
- Fast switching
- Easy to parallel
- Simple drive requirement
애플리케이션
Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
43W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002