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MXP120A080FW-GE3
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247AD
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|---|---|
| 1+ | ₩15,348 |
| 5+ | ₩13,921 |
| 10+ | ₩12,494 |
| 50+ | ₩12,306 |
| 100+ | ₩12,117 |
| 250+ | ₩11,875 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호MXP120A080FW-GE3
주문 코드4561974
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247AD
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation139W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
MXP120A080FW-GE3 is a MaxSiC™ 1200V N-channel SiC MOSFET in a TO-247 package. Typical applications charger, auxiliary motor drive and DC/DC converter.
- Fast switching speed
- Short circuit withstand time 3μs
- 80mohm drain source on state resistance at VGS=20V
- 29A continuous drain current
- 139W power dissipation
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
29A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
-
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247AD
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
139W
Product Range
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001