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SI1012CR-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI1012CR-T1-GE3
주문 코드2056674
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id630mA
Drain Source On State Resistance0.396ohm
Transistor Case StyleSC-75A
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation240mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
제품 개요
The SI1012CR-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.
- 1.2V Rated voltage
- 100% Rg tested
- 1000V Gate-source ESD protected
- Halogen-free
애플리케이션
Industrial, Power Management, Portable Devices
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
630mA
Transistor Case Style
SC-75A
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
240mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.396ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000363