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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI1036X-T1-GE3
주문 코드3929262RL
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id610mA
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel610mA
On Resistance Rds(on)0.45ohm
Continuous Drain Current Id P Channel610mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.45ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.45ohm
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleSC-89
Power Dissipation Pd220mW
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel220mW
Power Dissipation P Channel220mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
610mA
Continuous Drain Current Id N Channel
610mA
Continuous Drain Current Id P Channel
610mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.45ohm
Transistor Case Style
SC-89
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
220mW
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
0.45ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.45ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
220mW
Power Dissipation N Channel
220mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001