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SI1079X-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI1079X-T1-GE3
주문 코드3929263
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.44A
Drain Source On State Resistance0.083ohm
Transistor Case StyleSC-89
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation330mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.44A
Transistor Case Style
SC-89
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
330mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.083ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001