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SI1912EDH-T1-E3
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 1.13 A, 0.22 ohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI1912EDH-T1-E3
주문 코드1612641RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id1.13A
Drain Source Voltage Vds P Channel-
On Resistance Rds(on)0.22ohm
Continuous Drain Current Id N Channel1.13A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StyleSOT-363
Gate Source Threshold Voltage Max450mV
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd570mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SI1912EDH-T1-E3의 대체 제품
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제품 개요
The SI1912EDH-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET intended for small to medium load applications where a miniaturized package is required. It is suitable for load switching, PA switch and level switch applications.
- ESD protected device
- Thermally enhanced package
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
1.13A
On Resistance Rds(on)
0.22ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
450mV
Power Dissipation Pd
570mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
1.13A
Transistor Mounting
Surface Mount
Transistor Case Style
SOT-363
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001