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SI1965DH-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 12 V, 12 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.315 ohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI1965DH-T1-GE3
주문 코드3772742RL
Product RangeTrench Series
기술 데이터 시트
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Drain Source Voltage Vds12V
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id1.3A
Continuous Drain Current Id N Channel1.3A
On Resistance Rds(on)0.315ohm
Continuous Drain Current Id P Channel1.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.315ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.315ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd1.25W
Power Dissipation N Channel1.25W
Power Dissipation P Channel1.25W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id N Channel
1.3A
Continuous Drain Current Id P Channel
1.3A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.315ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
Power Dissipation Pd
1.25W
Power Dissipation P Channel
1.25W
Product Range
Trench Series
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Continuous Drain Current Id
1.3A
On Resistance Rds(on)
0.315ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.315ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-363
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001