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SI2122DS-T1-BE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 2.17 A, 0.16 ohm, SOT-23, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI2122DS-T1-BE3
주문 코드4644730RL
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id2.17A
Drain Source On State Resistance0.16ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1.6W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Drain Current Id
2.17A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001