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SI2301CDS-T1-GE3.
P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.1A TO-236
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩211 |
| 10+ | ₩153 |
| 100+ | ₩143 |
| 250+ | ₩139 |
| 500+ | ₩139 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI2301CDS-T1-GE3.
주문 코드1690262
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.1A
Drain Source On State Resistance0.142ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage2.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation860mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
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기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.1A
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
2.5V
Power Dissipation
860mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.142ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000109