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SI2307BDS-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI2307BDS-T1-E3
주문 코드2396090
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source On State Resistance0.078ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation750mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The SI2307BDS-T1-E3 is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
750mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.078ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
SI2307BDS-T1-E3의 대체 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000042