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SI2323CDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 6 A, 0.039 ohm, SOT-23, Surface Mount
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|---|---|
| 1+ | ₩801 |
| 10+ | ₩616 |
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| 500+ | ₩436 |
| 1000+ | ₩366 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI2323CDS-T1-GE3
주문 코드2335287
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.039ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The SI2323CDS-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, PA switch and DC-to-DC converter applications.
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
- Halogen-free
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
SI2323CDS-T1-GE3의 대체 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00005