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SI2337DS-T1-E3.
P CHANNEL MOSFET, -80V, 2.2A TO-236
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,177 |
| 10+ | ₩894 |
| 100+ | ₩693 |
| 500+ | ₩625 |
| 1000+ | ₩564 |
| 5000+ | ₩545 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI2337DS-T1-E3.
주문 코드1792186
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source On State Resistance0.216ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage6V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
6V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.216ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000091