페이지 인쇄
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI2338DS-T1-GE3
주문 코드2646366RL
Product RangeTrenchFET
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.028ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
- 30V, 6A N-channel TrenchFET® power MOSFET in 3 pin SOT-23 package
- Low on-resistance
- 100 % Rg tested
- Suitable for DC/DC converter and high speed switching applications
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
SI2338DS-T1-GE3의 대체 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000054