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SI2356DS-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 4.3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Surface Mount
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI2356DS-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드
풀릴2679679
리릴링2646369RL
컷 테이프2646369
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩627 | ₩3,135 |
| 총계 가격 | ₩3,135 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩627 |
| 50+ | ₩513 |
| 100+ | ₩399 |
| 500+ | ₩270 |
| 1500+ | ₩265 |
풀릴
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 3000+ | ₩219 |
| 9000+ | ₩188 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI2356DS-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드
풀릴2679679
리릴링2646369RL
컷 테이프2646369
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id4.3A
Drain Source On State Resistance0.051ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
제품 개요
The SI2356DS-T1-GE3 from Vishay is a 40V SMD Power MOSFET, N Channel transistor in a SOT 23 case. Suitable for DC / DC converter, load switches, LED backlighting and power management applications.
- TrenchFET® Power MOSFET
- 100% Rg Tested
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.3A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.051ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000127