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SI2387DS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 80 V, 3 A, 0.164 ohm, SOT-23, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI2387DS-T1-GE3
주문 코드3765809
Product RangeTrenchFET Gen IV
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.164ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
- P-channel 80V (D-S) MOSFET
- TrenchFET® Gen IV P-channel power MOSFET
- 100 % Rg and UIS tested
- Applications include load switch, circuit protection and motor drive control
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.164ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000662