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SI3473DDV-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI3473DDV-T1-GE3
주문 코드2932887
Product RangeTrenchFET Gen III
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.0145ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation3.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
3.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.0145ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Gen III
MSL
MSL 1 - Unlimited
SI3473DDV-T1-GE3의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002