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SI3474DV-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 3.8 A, 0.102 ohm, TSOP, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩778 |
| 10+ | ₩544 |
| 100+ | ₩397 |
| 500+ | ₩302 |
| 1000+ | ₩231 |
| 5000+ | ₩202 |
가격기준Each
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI3474DV-T1-GE3
주문 코드2400361
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id3.8A
Drain Source On State Resistance0.102ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation3.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The SI3474DV-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, boost converter, LED backlighting in LCD TVs and DC-to-DC converter applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
애플리케이션
Industrial, Power Management, LED Lighting
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.8A
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.102ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0005