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SI4128DY-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 10.9 A, 0.024 ohm, SOIC, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,319 |
| 10+ | ₩921 |
| 100+ | ₩611 |
| 500+ | ₩472 |
| 1000+ | ₩432 |
| 5000+ | ₩392 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI4128DY-T1-GE3
주문 코드1779237
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id10.9A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The SI4128DY-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and system power applications.
- 100% Rg tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
애플리케이션
Industrial, Power Management
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10.9A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
SI4128DY-T1-GE3의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0005