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SI4155DY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 13.6 A, 0.0125 ohm, SOIC, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI4155DY-T1-GE3
주문 코드4014702RL
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id13.6A
Drain Source On State Resistance0.0125ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation4.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
13.6A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
4.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
SI4155DY-T1-GE3의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000363