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SI4425BDY-T1-E3
P CHANNEL MOSFET
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI4425BDY-T1-E3
주문 코드1792163
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source On State Resistance0.012ohm
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation2.5W
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
2.5W
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source On State Resistance
0.012ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
SI4425BDY-T1-E3의 대체 제품
4개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000099