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SI4442DY-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 22 A, 0.0045 ohm, SOIC, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI4442DY-T1-E3
주문 코드1653683
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id22A
Drain Source On State Resistance0.0045ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation3.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SI4442DY-T1-E3의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
22A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0045ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000372