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SI4554DY-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 40 V, 40 V, 8 A, 8 A, 0.02 ohm
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|---|---|
| 1+ | ₩1,104 |
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| 500+ | ₩552 |
| 1000+ | ₩522 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI4554DY-T1-GE3
주문 코드2283667
기술 데이터 시트
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.02ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.02ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.2W
Power Dissipation P Channel3.2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.02ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.2W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.02ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00012