페이지 인쇄
SI4816BDY-T1-E3
Dual MOSFET, LITTLE FOOT, N Channel + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0093 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI4816BDY-T1-E3
주문 코드2547314
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel5.8A
Continuous Drain Current Id P Channel5.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0093ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0093ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.25W
Power Dissipation P Channel1.25W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The SI4816BDY-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET with Schottky diode housed in a surface-mount package.
- LITTLE FOOT® Plus power MOSFET
- 100% Rg tested
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
5.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0093ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.25W
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0093ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
SI4816BDY-T1-E3의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
관련 제품
4개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000364