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SI4946CDY-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.033 ohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI4946CDY-T1-GE3
주문 코드2846626
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel6.1A
Continuous Drain Current Id P Channel6.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.033ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.033ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.8W
Power Dissipation P Channel2.8W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHC0
제품 개요
Dual N-channel 60V (D-S) MOSFET suitable for use in DC/DC converter, load switch, inverters and circuit protection applications.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
6.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.033ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.8W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.033ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
0
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:0
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00016