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SI6913DQ-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 12 V, 12 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.016 ohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI6913DQ-T1-GE3
주문 코드2454810RL
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Drain Source Voltage Vds12V
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id4.9A
Continuous Drain Current Id N Channel4.9A
On Resistance Rds(on)0.016ohm
Continuous Drain Current Id P Channel4.9A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.016ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.016ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Transistor Case StyleTSSOP
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd830mW
Power Dissipation N Channel830mW
Power Dissipation P Channel830mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.9A
Continuous Drain Current Id P Channel
4.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.016ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
TSSOP
Power Dissipation Pd
830mW
Power Dissipation P Channel
830mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Continuous Drain Current Id
4.9A
On Resistance Rds(on)
0.016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.016ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00033