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SI6968BEDQ-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.165 ohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI6968BEDQ-T1-GE3
주문 코드3772770RL
Product RangeTrench Series
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.2A
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
On Resistance Rds(on)0.165ohm
Continuous Drain Current Id N Channel5.2A
Continuous Drain Current Id P Channel5.2A
Drain Source On State Resistance N Channel0.165ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.165ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Transistor Case StyleTSSOP
Power Dissipation Pd1W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1W
Power Dissipation P Channel1W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id
5.2A
On Resistance Rds(on)
0.165ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
5.2A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
TSSOP
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1W
Product Range
Trench Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.165ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.165ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
Power Dissipation Pd
1W
Power Dissipation N Channel
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001