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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI7220DN-T1-GE3
주문 코드3772776RL
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id3.4A
Continuous Drain Current Id N Channel3.4A
On Resistance Rds(on)0.048ohm
Continuous Drain Current Id P Channel3.4A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.048ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.048ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd1.3W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.3W
Power Dissipation P Channel1.3W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.4A
Continuous Drain Current Id P Channel
3.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.048ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.048ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.3W
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id
3.4A
On Resistance Rds(on)
0.048ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation Pd
1.3W
Power Dissipation N Channel
1.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001