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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI7223DN-T1-GE3
주문 코드2857067RL
Product RangeTrenchFET Gen III Series
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel6A
On Resistance Rds(on)0.022ohm
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.022ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.022ohm
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Power Dissipation Pd23W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel23W
Power Dissipation P Channel23W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
6A
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.022ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.022ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
23W
Product Range
TrenchFET Gen III Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
0.022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
23W
Power Dissipation N Channel
23W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
SI7223DN-T1-GE3의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000272