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SI7234DP-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 12 V, 12 V, 60 A, 60 A, 2800 µohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI7234DP-T1-GE3
주문 코드3772778RL
Product RangeTrench Series
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id60A
Continuous Drain Current Id N Channel60A
On Resistance Rds(on)0.0028ohm
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Drain Source On State Resistance N Channel2800µohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage12V
Drain Source On State Resistance P Channel2800µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation Pd3.5W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.5W
Power Dissipation P Channel3.5W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (21-Jan-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
2800µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.5W
Product Range
Trench Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Continuous Drain Current Id
60A
On Resistance Rds(on)
0.0028ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
2800µohm
Rds(on) Test Voltage
12V
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
3.5W
Power Dissipation N Channel
3.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001