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SI7315DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 150 V, 8.9 A, 0.315 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,406 |
| 10+ | ₩1,628 |
| 100+ | ₩1,111 |
| 500+ | ₩879 |
| 1000+ | ₩708 |
| 5000+ | ₩686 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI7315DN-T1-GE3
주문 코드2400366
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id8.9A
Drain Source On State Resistance0.315ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHC0
SI7315DN-T1-GE3의 대체 제품
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제품 개요
The SI7315DN-T1-GE3 is a 150VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for active clamp in intermediate DC-to-DC power supplies, H-bridge high side switch and load switch applications.
- Low thermal resistance PowerPAK® package with small size
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -50 to 150°C Operating temperature range
애플리케이션
Industrial, Power Management, Lighting
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8.9A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
0
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.315ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:0
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000124