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SI7997DP-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0045 ohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI7997DP-T1-GE3
주문 코드2646396RL
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id60A
On Resistance Rds(on)0.0045ohm
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.0045ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0045ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StylePowerPAK SO
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation Pd46W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel46W
Power Dissipation P Channel46W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
0.0045ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0045ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
46W
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
60A
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0045ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
46W
Power Dissipation N Channel
46W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000454