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SI9424BDY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 5.6 A, 0.014 ohm, SOIC, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI9424BDY-T1-GE3
주문 코드1794809
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.6A
Drain Source On State Resistance0.014ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max450mV
Power Dissipation1.25W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SI9424BDY-T1-GE3의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.6A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
450mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0005