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SI9433BDY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.5 A, 0.03 ohm, SOIC, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,193 |
| 10+ | ₩1,511 |
| 100+ | ₩1,092 |
| 500+ | ₩896 |
| 1000+ | ₩735 |
| 5000+ | ₩719 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI9433BDY-T1-GE3
주문 코드1794810
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation1.3W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
SI9433BDY-T1-GE3의 대체 제품
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제품 개요
The SI9433BDY-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
애플리케이션
Industrial, Power Management
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.5A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000272