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SI9926CDY-T1-E3
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 8 A, 0.018 ohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI9926CDY-T1-E3
주문 코드1684059
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.018ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHC0
제품 개요
The SI9926CDY-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for DC-to-DC converter application.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% UIS tested
애플리케이션
Industrial, Power Management, Computers & Computer Peripherals
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.018ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
0
SI9926CDY-T1-E3의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:0
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0004