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SIA427ADJ-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 8 V, 12 A, 0.013 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIA427ADJ-T1-GE3
주문 코드2889709
Product RangeTrenchFET
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.013ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation19W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
19W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
0.013ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.025