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SIA436DJ-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 8 V, 12 A, 9400 µohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩1,031 | ₩5,155 |
| 총계 가격 | ₩5,155 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,031 |
| 50+ | ₩866 |
| 100+ | ₩701 |
| 500+ | ₩485 |
| 1500+ | ₩476 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIA436DJ-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링2283648RL
컷 테이프2283648
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance9400µohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max350mV
Power Dissipation19W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
제품 개요
- N-channel 8V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- Thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package
- 100 % Rg tested
- Used in load switch for portable applications such as smart phones, tablet PCs and mobile computing
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
19W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
9400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
350mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00012