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SIA440DJ-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩603 |
| 10+ | ₩494 |
| 100+ | ₩384 |
| 500+ | ₩300 |
| 1000+ | ₩207 |
| 5000+ | ₩194 |
가격기준Each
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIA440DJ-T1-GE3
주문 코드2400370
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.021ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation19W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
N-channel 40V (D-S) MOSFET for use in portable devices such as tablet PCs and mobile computing, DC/DC converter, boost converter, load switch, power management and LED backlighting.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
19W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.021ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002