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SIA456DJ-T1-GE3
Power MOSFET, TrenchFET, N Channel, 200 V, 2.6 A, 1.38 ohm, SC-70, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIA456DJ-T1-GE3
주문 코드2547295RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id2.6A
Drain Source On State Resistance1.38ohm
Transistor Case StyleSC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation19W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The SIA456DJ-T1-GE3 is a 200VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for boost converter applications.
- New thermally enhanced PowerPAK® package
- Small footprint area
- Low ON-resistance
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
애플리케이션
Industrial, Power Management, Portable Devices
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
Transistor Case Style
SC-70
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
19W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
1.38ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
-
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2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Singapore
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Singapore
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000049