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SIA918EDJ-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIA918EDJ-T1-GE3
주문 코드3929257RL
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
On Resistance Rds(on)0.046ohm
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.046ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.046ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd7.8W
Power Dissipation N Channel7.8W
Power Dissipation P Channel7.8W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
4.5A
On Resistance Rds(on)
0.046ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.046ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.046ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
Power Dissipation Pd
7.8W
Power Dissipation P Channel
7.8W
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001