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SIA931DJ-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 100+ | ₩444 |
| 500+ | ₩279 |
| 1500+ | ₩274 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
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₩44,400
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIA931DJ-T1-GE3
주문 코드2400374RL
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.052ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.052ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel7.8W
Power Dissipation P Channel7.8W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The SIA931DJ-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for battery and load switch, DC-to-DC converter applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® gen III power MOSFET
- Thermally enhanced PowerPAK® package
- Small footprint
- Low ON-resistance
- 100% Rg tested
애플리케이션
Industrial, Power Management, Computers & Computer Peripherals
기술 사양
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.052ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
7.8W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.052ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation N Channel
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002