페이지 인쇄
SIB4122DK-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 5.9 A, 0.16 ohm, PowerPAK SC-75, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
포장 옵션
주문 가능
제조업체 표준 리드 타임: 26주
입고 시 알림 요청
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 100+ | ₩421 |
| 500+ | ₩332 |
| 1000+ | ₩258 |
| 5000+ | ₩223 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 100
주문 배수수량: 5
₩42,100
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIB4122DK-T1-GE3
주문 코드4349352RL
Product RangeThunderFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id5.9A
Drain Source On State Resistance0.16ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-75
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation12.5W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeThunderFET Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.9A
Transistor Case Style
PowerPAK SC-75
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
12.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
7Pins
Product Range
ThunderFET Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000012