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SIDR610EP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 39.6 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO-DC, Surface Mount
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIDR610EP-T1-RE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링4014706RL
컷 테이프4014706
Product RangeTrenchFET Series
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩7,241 | ₩7,241 |
| 총계 가격 | ₩7,241 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩7,241 |
| 10+ | ₩4,794 |
| 100+ | ₩3,412 |
| 500+ | ₩2,981 |
| 1000+ | ₩2,922 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIDR610EP-T1-RE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링4014706RL
컷 테이프4014706
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id39.6A
Drain Source On State Resistance0.0319ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-DC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation150W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
39.6A
Transistor Case Style
PowerPAK SO-DC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.0319ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
SIDR610EP-T1-RE3의 대체 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000363