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SIHA17N80AEF-GE3
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 6.5 A, 0.263 ohm, TO-220FP, Through Hole
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|---|---|
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIHA17N80AEF-GE3
주문 코드3801707
Product RangeEF
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id6.5A
Drain Source On State Resistance0.263ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation34W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF
Qualification-
MSL-
SVHCLead (07-Nov-2024)
제품 개요
EF series power MOSFET with fast body diode is typically used in server and telecom power supplies, switch mode power supplies (SMPS), power factor correction power supplies (PFC), lighting (high-intensity discharge (HID), fluorescent ballast lighting), industrial (welding, induction heating, motor drives, battery chargers and solar (PV inverters)).
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
- Low effective capacitance (Co(er))
- Reduced switching and conduction losses
- Avalanche energy rated (UIS)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.5A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
34W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.263ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):1