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SIHD3N50D-GE3
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIHD3N50D-GE3
주문 코드2283607
Product RangeD
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance2.6ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation104W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeD
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (17-Dec-2014)
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제품 개요
경고
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기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2014)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
2.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
D
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2014)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000601