페이지 인쇄
SIHD5N50D-GE3
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIHD5N50D-GE3
주문 코드2283609
Product RangeD
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id5.3A
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation104W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeD
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (19-Jan-2021)
SIHD5N50D-GE3의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
제품 개요
The SIHD5N50D-GE3 is a D series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for consumer electronics, telecom power supply and battery charger applications.
- Low area specific ON-resistance
- Low input capacitance (CISS)
- Reduced capacitive switching losses
- High body diode ruggedness
- Avalanche energy rated (UIS)
- Simple gate drive circuitry
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
- Fast switching
- Halogen-free
애플리케이션
Industrial, Power Management, Portable Devices, Consumer Electronics
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.3A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (19-Jan-2021)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
D
MSL
MSL 1 - Unlimited
관련 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (19-Jan-2021)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002