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SIHF22N60E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Through Hole
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIHF22N60E-GE3
주문 코드2364078
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation35W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
제품 개요
E series power MOSFET suitable for use in server and telecom power supplies, switch mode power supplies (SMPS), power factor correction power supplies (PFC), lighting (High-intensity discharge (HID), fluorescent ballast lighting), industrial (welding, induction heating, motor drives, battery chargers, renewable energy and solar (PV inverters).
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qi
- Low input capacitance (Ciss)
- Ultra-low gate charge (Qi)
- Avalanche energy rated (UIS)
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
35W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002915