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SIHG026N65E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 700 V, 88 A, 0.026 ohm, TO-247AC, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩23,860 |
| 5+ | ₩17,559 |
| 10+ | ₩13,939 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIHG026N65E-GE3
주문 코드4777209
Product RangeE Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds700V
Continuous Drain Current Id88A
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation179W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
88A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
179W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
700V
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001