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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIHG14N50D-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임17주
주문 코드2283630
Product RangeD
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source On State Resistance0.4ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeD
Qualification-
SVHCLead (19-Jan-2021)
SIHG14N50D-GE3의 대체 제품
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제품 개요
The SIHG14N50D-GE3 is a D series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for consumer electronics, telecom power supply and battery charger applications.
- Low area specific ON-resistance
- Low input capacitance (CISS)
- Reduced capacitive switching losses
- High body diode ruggedness
- Avalanche energy rated (UIS)
- Simple gate drive circuitry
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
- Fast switching
- Halogen-free
애플리케이션
Industrial, Power Management, Portable Devices, Consumer Electronics
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
14A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (19-Jan-2021)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
D
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (19-Jan-2021)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.006287