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SIHH080N60E-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 32 A, 0.07 ohm, PowerPAK, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIHH080N60E-T1-GE3
주문 코드3677860RL
Product RangeE
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id32A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation184W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
제품 개요
E Series power MOSFET in PowerPAK 8 x 8 package is typically used in applications like server and telecom power supplies, switch mode power supplies (SMPS), power factor correction power supplies (PFC), lighting (high-intensity discharge (HID), fluorescent ballast lighting), industrial (welding, induction heating, motor drives, battery chargers and solar (PV inverters)).
- 4th generation E series technology
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
- Low effective capacitance (Co(er))
- Reduced switching and conduction losses
- Avalanche energy rated (UIS)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
32A
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
184W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0005